BSP295H6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
980 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
730 ֏
от 10 шт. —
610 ֏
от 100 шт. —
520 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 960 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSP295H6327XTSA1 от производителя INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент с SMD монтажом. Он характеризуется током стока 1,8 А, напряжением сток-исток 60 В и мощностью 1,8 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,3 Ом, что обеспечивает эффективную работу в различных областях применения. Корпус SOT223 делает его идеальным выбором для компактных схем. Модель BSP295H6327XTSA1 станет надежным решением для улучшения производительности ваших электронных устройств. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 1.8 |
Напряжение сток-исток, В | 60 |
Мощность, Вт | 1.8 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.3 |
Корпус | SOT223 |
Технические параметры
AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
Automotive | Yes |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 1.8 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 300@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 1.8 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 1800 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 4 |
Process Technology | SIPMOS |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-223 |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 14 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 14@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 295@25V |
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 19 ns |
Forward Transconductance - Min: | 0.8 S |
Id - Continuous Drain Current: | 1.8 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-223-4 |
Part # Aliases: | BSP295 H6327 SP001058618 |
Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 14 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 220 mOhms |
Rise Time: | 9.9 ns |
Series: | BSP295 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5.4 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
Maximum Continuous Drain Current | 1.8 A |
Maximum Drain Source Resistance | 300 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-223 |
Series | SIPMOS |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
Width | 3.5mm |
Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 442 КБ
Datasheet
pdf, 292 КБ
Datasheet BSP295H6327XTSA1
pdf, 442 КБ