IPA65R400CEXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 680 ֏
от 2 шт. —
2 210 ֏
от 5 шт. —
1 870 ֏
от 10 шт. —
1 730 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 680 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 650V, 15.1A, TO-220FP, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:15.1A, Drain Source Voltage Vds:650V, On Resistance Rds(on):0.36ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 16.15 mm |
| Длина | 10.65 mm |
| Другие названия товара № | IPA65R400CE SP001429766 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | CoolMOS CE |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Ширина | 4.85 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 15.1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.4 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 FP |
| Pin Count | 3 |
| Series | 650V CoolMOS™ CE |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet IPA65R400CEXKSA1
pdf, 1096 КБ
