IPD50R950CEAUMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
900 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
640 ֏
от 10 шт. —
540 ֏
от 30 шт. —
465 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 800 ֏
Описание
Электроэлемент
Mosfet, N-Ch, 500V, 6.6A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon IPD50R950CEAUMA1
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Height | 2.3 mm |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | IPD50R950CE |
| Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details |
| Series | CoolMOS CE |
| Technology | Si |
| Tradename | CoolMOS |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Width | 6.22 mm |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Другие названия товара № | IPD50R950CE SP001396802 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | CoolMOS CE |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.6 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 550 V |
| Mounting Type | SMD |
| Package Type | PG-TO 252 |
| Вес, г | 0.825 |
