IPD60R1K5CEAUMA1

Фото 1/2 IPD60R1K5CEAUMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
900 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.680 ֏
от 10 шт.550 ֏
от 100 шт.464 ֏
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 1 800 ֏
Номенклатурный номер: 8001950721

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 600V, 5A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):1.26ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power D

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 5A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 100V
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 49W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Series CoolMOSв(ў
Supplier Device Package PG-TO252
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 90ВµA
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 2.3 mm
Длина 6.5 mm
Другие названия товара № IPD60R1K5CE SP001396902
Категория продукта МОП-транзистор
Коммерческое обозначение CoolMOS
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 2500
Серия CoolMOS CE
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок TO-252-3
Ширина 6.22 mm
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 5 A
Maximum Drain Source Resistance 1.5 Ohm
Maximum Drain Source Voltage 600 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Вес, г 0.34

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1191 КБ
Datasheet IPD60R1K5CEAUMA1
pdf, 1548 КБ