IPB044N15N5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 000 ֏
от 2 шт. —
7 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 000 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 150 В 174 А 300 ВтPG-TO263-7
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | 1 N-Channel |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 5 ns |
Forward Transconductance - Min | 72 S |
Height | 4.4 mm |
Id - Continuous Drain Current | 174 A |
Length | 10 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-263-7 |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | IPB044N15N5 SP001326442 |
Pd - Power Dissipation | 300 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 100 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3.4 mOhms |
Rise Time | 6 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Tradename | OptiMOS |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 19 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Width | 9.25 mm |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0034Ом |
Power Dissipation | 300Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
Непрерывный Ток Стока | 174А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В |
Рассеиваемая Мощность | 300Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0034Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Maximum Continuous Drain Current | 174 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.0044 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.6V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK-7 |
Pin Count | 7 |
Series | OptiMOS™ 5 |
Transistor Material | Si |
Вес, г | 1.752 |
Техническая документация
Datasheet IPB044N15N5ATMA1
pdf, 1100 КБ