IPD135N08N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 700 ֏
от 2 шт. —
1 280 ֏
от 5 шт. —
1 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 700 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 80 В 45 А 79 Вт PG-TO252-3
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 45A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 40V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 79W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 45A, 10V |
| Series | OptiMOSв(ў |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33ВµA |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 45 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0135 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.426 |
Техническая документация
Datasheet IPD135N08N3GATMA1
pdf, 354 КБ
