IPD70R1K4P7SAUMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 360 ֏
от 2 шт. —
980 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 360 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 700V, 4A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:700V; On Resistance Rds(on):1.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 61 ns |
| Height | 2.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 4 A |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 22.7 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 4.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.15 Ohms |
| Rise Time | 4.9 ns |
| RoHS | Details |
| Series | CoolMOS P7 |
| Technology | Si |
| Tradename | CoolMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 63 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 700 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Width | 6.22 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 22.7 W |
| Qg - заряд затвора | 4.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.15 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 4.9 ns |
| Время спада | 61 ns |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Другие названия товара № | IPD70R1K4P7S SP001491632 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 63 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.4 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-252 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1003 КБ
