IPC70N04S5L4R2ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 750 ֏
от 2 шт. —
1 320 ֏
от 5 шт. —
1 030 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 750 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, 70A, TDSON; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:70A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0034ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; Power Dissipation Pd:50W; Transistor Case Style:TDSON; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:OptiMOS 5 Series; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0042 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Pin Count | 8 |
| Series | OptiMOS |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 0.1113 |
Техническая документация
Datasheet IPC70N04S5L4R2ATMA1
pdf, 564 КБ
