IPAW60R280P7SXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 300 ֏
от 2 шт. —
6 800 ֏
от 5 шт. —
6 300 ֏
от 7 шт. —
6 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 300 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание MOSFET транзистор PG-TO220-3
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 761pF @ 400V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 24W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 3.8A, 10V |
Series | CoolMOSв(ў P7 |
Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 190ВµA |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.214Ом |
Power Dissipation | 24Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 12А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
Рассеиваемая Мощность | 24Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.214Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 450 |
Fall Time: | 9 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IPAW60R280P7S SP001658180 |
Pd - Power Dissipation: | 24 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 18 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 214 mOhms |
Rise Time: | 9 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 1.344 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1035 КБ
Datasheet IPAW60R280P7SXKSA1
pdf, 1094 КБ
Datasheet IPAW60R280P7SXKSA1
pdf, 1143 КБ