IPD135N03LG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 410 ֏
от 2 шт. —
980 ֏
от 4 шт. —
770 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 410 ֏
Описание
Электроэлемент
30V 30A 31W 13.5mOhm@10V,30A 2.2V@250uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ?20 V |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55 to 175 ?C |
| Package | 3TO-252 |
| Packaging | Tape & Reel |
| Rad Hard | No |
| RDS-on | 13.5@10V mOhm |
| Typical Fall Time | 2.2 ns |
| Typical Rise Time | 3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3 ns |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Другие названия товара № | G IPD135N03L IPD135N3LGXT SP000796912 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| RoHS Compliant | Yes |
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 13.5mΩ@30A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1nF@15V |
| Power Dissipation (Pd) | 31W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1378 КБ
