STD18N55M5

Фото 1/4 STD18N55M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
4 680 ֏
от 2 шт.4 170 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 680 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002014857
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 16А, 110Вт, DPAK Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 16A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 550V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 100V
Manufacturer STMicroelectronics
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C(TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Packaging Tape & Reel(TR)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 192 mOhm @ 8A, 10V
Series MDmeshв(ў V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250ВµA
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Емкость, пФ 1260
Заряд затвора, нКл 31
Максимально допустимое напряжение затвор-исток(Vgs)±25 В
Максимальное напряжение сток-исток, В 550
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 16
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 192
Мощность рассеиваемая(max)-110 Вт
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-5 В
Описание N-Channel 550 V 16A(Tc)110W(Tc)Surface Mount DPAK
Способ монтажа поверхностный(SMT)
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/500
Упаковка REEL, 2500 шт.
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1540 КБ
Datasheet ...18N55M5
pdf, 1247 КБ

Видео

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 6 июня1 бесплатно
HayPost 10 июня1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг