BSC036NE7NS3G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 770 ֏
от 2 шт. —
2 470 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 770 ֏
Описание
Электроэлемент
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 20A I(D), 75V, 0.0036OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Fall Time | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min | 50 S |
| Height | 1.27 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Length | 5.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Packaging | Cut Tape |
| Part # Aliases | BSC036NE7NS3GATMA1 BSC36NE7NS3GXT SP000907920 |
| Pd - Power Dissipation | 156 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 63.4 nC |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.9 mOhms |
| Rise Time | 18 ns |
| RoHS | Details |
| Series | OptiMOS 3 |
| Technology | Si |
| Tradename | OptiMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 38 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.3 V |
| Width | 5.15 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Qg - заряд затвора | 63.4 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 18 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 1.27 mm |
| Длина | 5.9 mm |
| Другие названия товара № | BSC036NE7NS3GATMA1 BSC36NE7NS3GXT SP000907920 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PG-TDSON-8 |
| Ширина | 5.15 mm |
| Вес, г | 0.19 |
