IR2110S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 210 ֏
от 2 шт. —
1 790 ֏
от 5 шт. —
1 500 ֏
от 10 шт. —
1 380 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 210 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2 Характеристики Категория | Микросхема |
Тип | драйвер |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Driver Configuration | Non-Inverting |
Driver Type | High and Low Side |
High and Low Sides Dependency | Independent |
Input Logic Compatibility | CMOSILSTTLI3.3V(Min) |
Lead Finish | Matte Tin |
Max Processing Temp | 260I300 |
Maximum Fall Time | 25 ns |
Maximum Operating Supply Voltage | 20 V |
Maximum Power Dissipation | 1250 mW |
Maximum Propagation Delay Time | 150 ns |
Maximum Rise Time | 35 ns |
Maximum Supply Current | 0.34 mA |
Maximum Turn-Off Delay Time | 10 ns |
Maximum Turn-On Delay Time | 10 ns |
Minimum Operating Supply Voltage | 10 V |
Mounting | Surface Mount |
Number of Drivers | 2 |
Number of Outputs | 2 |
Operating Temperature | -40 to 125 °C |
Peak Output Current | 2.5 A |
Reference Voltage | 500 V |
IC Case / Package | SOIC |
Задержка Выхода | 94нс |
Задержка по Входу | 120нс |
Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
Количество Каналов | 2канал(-ов) |
Конфигурация Привода | Высокая Сторона и Низкая Сторона |
Линейка Продукции | IR2110, IR2113 |
Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
Максимальное Напряжение Питания | 20В |
Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
Минимальное Напряжение Питания | 10В |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Стиль Корпуса Привода | SOIC |
Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET |
Ток истока | 2А |
Ток стока | 2А |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 486 КБ
Datasheet IR2110(-1-2)(S)PbF IR2113(-1-2)(S)
pdf, 328 КБ