Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF1310NS

IRF1310NS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 280 ֏

от 2 шт. — 2 020 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 280 ֏

Номенклатурный номер: 8002024858

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

MOSFET, N-CH, 100V, 42A, TO-263AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:42A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.036ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power , RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	42A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 25V
Manufacturer	Infineon Technologies
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging	Cut Tape(CT)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	3.8W(Ta), 160W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 22A, 10V
Series	HEXFETВ®
Supplier Device Package	D2PAK
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вес, г	2.1