Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFL4315

IRFL4315

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

880 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 700 ֏

от 10 шт. — 630 ֏

от 100 шт. — 570 ֏

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 1 760 ֏

Номенклатурный номер: 8002025753

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор полевой IRFL4315PBF от производителя INFINEON представляет собой высокопроизводительный N-MOSFET компонент для поверхностного монтажа в корпусе SOT223. С током стока 2,6 А и напряжением сток-исток 150 В, этот транзистор обеспечивает оптимальное решение для различных электронных применений. Мощность устройства составляет 2,8 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — всего 0,185 Ом, что гарантирует высокую эффективность при минимальных потерях мощности. Компактный и надежный, IRFL4315PBF идеален для использования в источниках питания, управлении двигателями и других высоковольтных применениях. Используйте код IRFL4315PBF для поиска и заказа этого транзистора в нашем магазине. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	2.6
Напряжение сток-исток, В	150
Мощность, Вт	2.8
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.185
Корпус	SOT223

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	2.6A(Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	420pF @ 25V
Manufacturer	Infineon Technologies
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Packaging	Tape & Reel(TR)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	2.8W(Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	185mOhm @ 1.6A, 10V
Series	HEXFETВ®
Supplier Device Package	SOT-223
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250ВµA
Вес, г	0.27