STN1NF20
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
1 020 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
770 ֏
от 10 шт. —
640 ֏
от 100 шт. —
550 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 040 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 200V, 1A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):1.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power D
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Fall Time | 12.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 1 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-223-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 5.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.5 Ohms |
| Rise Time | 5.6 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel STripFET |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Fall Time: | 12.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms |
| Rise Time: | 5.6 ns |
| Series: | STN1NF20 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 635 КБ
Datasheet STN1NF20
pdf, 648 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 3 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
