BSS315PH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
510 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
255 ֏
от 10 шт. —
183 ֏
от 100 шт. —
114 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 020 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSS315PH6327XTSA1 производства INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Этот транзистор способен управлять током стока до 1,5 А и имеет максимальное напряжение сток-исток 30 В, что делает его подходящим для широкого спектра электронных применений. С номинальной мощностью 0,5 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,15 Ом, BSS315PH6327XTSA1 обеспечивает эффективное и надежное управление током. Компактный корпус PG-SOT23 позволяет использовать данное устройство в ограниченных пространствах без ущерба для производительности. Для заказа используйте код BSS315PH6327XTSA1 без специальных символов и пробелов. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 1.5 |
Напряжение сток-исток, В | 30 |
Мощность, Вт | 0.5 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.15 |
Корпус | PG-SOT23 |
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | 1 P-Channel |
Factory Pack Quantity | 9000 |
Fall Time | 7.5 ns |
Forward Transconductance - Min | 2.7 S |
Height | 1.1 mm |
Id - Continuous Drain Current | -1.5 A |
Length | 2.9 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | BSS315P BSS315PH6327XT H6327 SP000928946 |
Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | -2.3 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 113 mOhms |
Rise Time | 6.5 ns |
RoHS | Details |
Series | BSS315 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | P-Channel |
Transistor Type | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 14.3 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2 V |
Width | 1.3 mm |
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 7.5 ns |
Forward Transconductance - Min: | 2.7 S |
Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Part # Aliases: | BSS315P H6327 SP000928946 |
Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 2.3 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 113 mOhms |
Rise Time: | 6.5 ns |
Series: | BSS315 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 14.3 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 150 mA |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 4.536 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 227 КБ
Datasheet BSS315PH6327XTSA1
pdf, 226 КБ