IXTK210P10T, Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
27 шт., срок 7-9 недель
34 900 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 5 шт. —
33 700 ֏
от 10 шт. —
32 700 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 139 600 ֏
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 210 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7.5@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 200 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±15 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4.5 |
Maximum IDSS (uA) | 25 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1040000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | TrenchFET |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-264AA |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 55 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 740 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 740@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 69500@25V |
Typical Rise Time (ns) | 98 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 165 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 90 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 186 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 2 августа1 | бесплатно |
HayPost | 6 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары