Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Texas Instruments › CSD18537NKCS, Транзистор: N-MOSFET, полевой ...

CSD18537NKCS, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 50А, 94Вт, TO220-3, 1,14-1,4мм

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 930 ֏

от 5 шт. — 1 360 ֏

от 25 шт. — 1 040 ֏

от 100 шт. — 820 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 930 ֏

Номенклатурный номер: 8002598894

Бренд: Texas Instruments

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 50А, 94Вт, TO220-3, 1,14-1,4мм Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Base Product Number	CSD18537 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1480pF @ 30V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	TubeTube
Package / Case	TO-220-3
Power Dissipation (Max)	94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 25A, 10V
REACH Status	REACH Affected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250ВµA
Brand:	Texas Instruments
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	50
Fall Time:	3.9 ns
Forward Transconductance - Min:	100 S
Id - Continuous Drain Current:	56 A
Manufacturer:	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	94 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	14 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	14 mOhms
Rise Time:	3.2 ns
Series:	CSD18537NKCS
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	NexFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	12.6 ns
Typical Turn-On Delay Time:	4.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.6 V
Вес, г	1.96