STD12NF06T4, Транзистор N-МОП, полевой, 60В 12A 30Вт 0,1Ом TO252

STD12NF06T4, Транзистор N-МОП, полевой, 60В 12A 30Вт 0,1Ом TO252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
800 шт., срок 8 недель
650 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 25 шт.520 ֏
от 100 шт.368 ֏
от 500 шт.323 ֏
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 1 950 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8002620431
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 12
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 100@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 4
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 30000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 2
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology STripFET II
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 6
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 10
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 10@10V
Typical Gate to Drain Charge (nC) 3.5
Typical Gate to Source Charge (nC) 3
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 315@25V
Typical Output Capacitance (pF) 70
Typical Reverse Recovery Charge (nC) 65
Typical Rise Time (ns) 18
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 17
Typical Turn-On Delay Time (ns) 7
Вес, г 0.37

Техническая документация

Datasheet
pdf, 414 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 24 июля1 бесплатно
HayPost 28 июля1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг