STD12NF06T4, Транзистор N-МОП, полевой, 60В 12A 30Вт 0,1Ом TO252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 шт., срок 8 недель
650 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 25 шт. —
520 ֏
от 100 шт. —
368 ֏
от 500 шт. —
323 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 1 950 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 100@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 30000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | STripFET II |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 6 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 10 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 10@10V |
Typical Gate to Drain Charge (nC) | 3.5 |
Typical Gate to Source Charge (nC) | 3 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 315@25V |
Typical Output Capacitance (pF) | 70 |
Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 65 |
Typical Rise Time (ns) | 18 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 17 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7 |
Вес, г | 0.37 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 414 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары