Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Texas Instruments › CSD17579Q5AT, Транзистор: N-MOSFET, полевой ...

CSD17579Q5AT, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 25А, 36Вт, VSONP8, 5x6мм

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 040 ֏

от 5 шт. — 1 480 ֏

от 25 шт. — 1 120 ֏

от 100 шт. — 900 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 040 ֏

Номенклатурный номер: 8002647676

Бренд: Texas Instruments

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 25А, 36Вт, VSONP8, 5x6мм Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Base Product Number	CSD17579 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	25A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.1nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1030pF @ 15V
Manufacturer Product Page	http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	8-PowerTDFN
Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.7mOhm @ 8A, 10V
REACH Status	REACH Affected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	NexFETв„ў ->
Supplier Device Package	8-VSONP (5x6)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250ВµA
Brand:	Texas Instruments
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	250
Fall Time:	1 ns
Forward Transconductance - Min:	36 S
Id - Continuous Drain Current:	25 A
Manufacturer:	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	VSONP-8
Pd - Power Dissipation:	36 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	15.1 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	11.6 mOhms
Rise Time:	7 ns
Series:	CSD17579Q5A
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	NexFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	13 ns
Typical Turn-On Delay Time:	3 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Вес, г	0.16