BSS138BK,215, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 60В, 360мА, 350мВт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

57018 шт., срок 8 недель

570 ֏

от 5 шт. — 385 ֏

от 10 шт. — 308 ֏

от 25 шт. — 215 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 570 ֏

Альтернативные предложения5

Номенклатурный номер: 8002670533

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Транзистор полевой N-канальный 60В 1.14Вт

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	360mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	350mW
Rds On - Drain-Source Resistance	1.6О© @ 350mA,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60V
Vgs - Gate-Source Voltage	1.6V @ 250uA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	360 mA
Maximum Drain Source Resistance	1.6 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.6V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	420 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.48V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Width	1.4mm
Вес, г	0.02