Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › BSS159NH6327XTSA2

BSS159NH6327XTSA2

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

620 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 364 ֏

от 10 шт. — 289 ֏

от 100 шт. — 211 ֏

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 1 240 ֏

Номенклатурный номер: 8002741894

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

Описание Полевой транзистор BSS159NH6327XTSA2 от INFINEON – высококачественный компонент для SMD монтажа. Характеризуется током стока 0,23 А, напряжением сток-исток 60 В и мощностью 0,36 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 8 Ом, что обеспечивает его эффективную работу в различных областях применения. Тип N-MOSFET в корпусе SOT23 гарантирует надежность и долговечность устройства. Этот компонент станет незаменимым элементом в вашей схеме благодаря своим техническим характеристикам. Продукт BSS159NH6327XTSA2, без сомнения, удовлетворит потребности самых требовательных разработчиков электронных устройств. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	0.23
Напряжение сток-исток, В	60
Мощность, Вт	0.36
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	8
Корпус	SOT23

Технические параметры

Brand	Infineon Technologies
Channel Mode	Depletion
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	6000
Fall Time	9 ns
Forward Transconductance - Min	100 mS
Height	1.1 mm
Id - Continuous Drain Current	230 mA
Length	2.9 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	SOT-23-3
Packaging	Reel
Part # Aliases	BSS159N BSS159NH6327XT H6327 SP000919328
Pd - Power Dissipation	360 mW
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	1.4 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	1.7 Ohms
Rise Time	2.9 ns
RoHS	Details
Series	BSS159
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	9 ns
Typical Turn-On Delay Time	3.1 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	-3.5 V
Width	1.3 mm
Id - непрерывный ток утечки	230 mA
Pd - рассеивание мощности	360 mW
Qg - заряд затвора	1.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	2.9 ns
Время спада	9 ns
Высота	1.1 mm
Длина	2.9 mm
Другие названия товара №	BSS159N BSS159NH6327XT H6327 SP000919328
Канальный режим	Depletion
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	100 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BSS159
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	9 ns
Типичное время задержки при включении	3.1 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	PG-SOT-23-3
Ширина	1.3 mm
Base Product Number	BSS159 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	230mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 10V
ECCN	EAR99
FET Feature	Depletion Mode
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 5V
HTSUS	8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	39pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Power Dissipation (Max)	360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5Ohm @ 160mA, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-23-3
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 26ВµA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	230mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	360mW
Вес, г	0.063