Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IPA95R750P7XKSA1

IPA95R750P7XKSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 940 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 940 ֏

Номенклатурный номер: 8002863263

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

MOSFET, 950V, 9A, 150DEG C, 28W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:950V; On Resistance Rds(on):0.64ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Maximum Continuous Drain Current - (A)	9
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	750@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	950
Maximum Gate Source Voltage - (V)	20
Maximum Power Dissipation - (mW)	28000
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Packaging	Tube
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	23
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	23@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	712@400V
Drain Source On State Resistance	0.64Ом
Power Dissipation	28Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	CoolMOS P7
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	950В
Непрерывный Ток Стока	9А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	28Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.64Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220FP
Maximum Continuous Drain Current	9 A
Maximum Drain Source Resistance	750 mO
Maximum Drain Source Voltage	950 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220 FP
Pin Count	3
Series	P7
Вес, г	0.256