FCPF20N60, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; Idm: 60А; 39Вт; TO220FP

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 600 ֏

от 3 шт. — 5 800 ֏

от 10 шт. — 4 510 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 600 ֏

Посмотреть аналоги1

Номенклатурный номер: 8002729192

Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; Idm: 60А; 39Вт; TO220FP Характеристики

Brand	ON Semiconductor/Fairchild
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	50
Fall Time	65 ns
Forward Transconductance - Min	17 S
Height	16.3 mm
Id - Continuous Drain Current	20 A
Length	10.67 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	39 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	190 mOhms
Rise Time	140 ns
RoHS	Details
Series	FCPF20N60
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	230 ns
Typical Turn-On Delay Time	62 ns
Unit Weight	0.080072 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Width	4.7 mm
Вес, г	3.5