Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Littelfuse › IXTP08N50D2

IXTP08N50D2

36 шт. с центрального склада, срок 3 недели

3 900 ֏

от 2 шт. — 3 340 ֏

от 5 шт. — 3 000 ֏

от 10 шт. — 2 820 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 900 ֏

Номенклатурный номер: 8002978933

Бренд: Littelfuse

Описание

Электроэлемент

MOSFET, N-CH, 500V, 0.8A, TO-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:800mA; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:0V; Gate Source Thres 03AH1615

Технические параметры

Brand	IXYS
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	50
Id - Continuous Drain Current	800 mA
Manufacturer	IXYS
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	60 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	4.6 Ohms
RoHS	Details
Series	IXTP08N50
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Unit Weight	0.08113 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Вес, г	0.91