Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Littelfuse › IXFH60N50P3

IXFH60N50P3

1 шт. с центрального склада, срок 3 недели

14 500 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 14 500 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8002988550

Бренд: Littelfuse

Описание

Электроэлемент

MOSFET, N CH, 500V, 60A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power

Технические параметры

Brand	IXYS
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	30
Fall Time	8 ns
Forward Transconductance - Min	60 S, 35 S
Id - Continuous Drain Current	60 A
Manufacturer	IXYS
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	1040 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	96 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	100 mOhms
Rise Time	16 ns
RoHS	Details
Series	IXFH60N50
Technology	Si
Tradename	HyperFET
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Unit Weight	0.056438 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	5 V
Вес, г	8.167