BSS123,215, Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
> 1 млн. шт., срок 8-10 недель
39 ֏
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 24000 шт. —
35 ֏
Добавить в корзину 6000 шт.
на сумму 234 000 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003900937
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 100В, 150мА, 250мВт
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 150mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 250mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 6О© @ 120mA,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.8V @ 1mA |
кол-во в упаковке | 3000 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 150 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 6 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.8V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 250 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Width | 1.4mm |
Вес, кг | 16.3 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
Похожие товары