STW48N60M6-4, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 25А, Idm: 140А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 шт., срок 8 недель
10 700 ֏
от 3 шт. —
8 500 ֏
от 10 шт. —
6 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 700 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 25А, Idm: 140А Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 39 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.061 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247-4 |
| Pin Count | 4 |
| Series | ST |
| Transistor Material | SiC |
| Вес, г | 6.16 |
Техническая документация
Datasheet STW48N60M6-4
pdf, 452 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC004801069.jpg)
![STW45NM50, Транзистор MOSFET N-канал 500В 45А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307885.jpg)
![IPW60R037P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET 650В 76A [TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![STW21NM60ND, Транзистор N-MOSFET 600В 17А [TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758073.jpg)
![STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом, 51А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/964/DOC000964112.jpg)
