STD18N65M5, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 9,4А, 110Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2184 шт., срок 8 недель

3 810 ֏

от 3 шт. — 3 550 ֏

от 10 шт. — 2 960 ֏

от 25 шт. — 2 530 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 810 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004542288

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 9,4А, 110Вт, DPAK Характеристики

Case	DPAK
Drain current	9.4A
Drain-source voltage	650V
Features of semiconductor devices	ESD protected gate
Gate-source voltage	±25V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting	SMD
On-state resistance	0.22Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	110W
Technology	SuperMesh™
Type of transistor	N-MOSFET
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	15 A
Maximum Drain Source Resistance	220 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	710 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	110 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Series	MDmesh M5
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	31 nC @ 10 V
Width	6.2mm
Вес, г	0.53