Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF28NM50N, MOSFET N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh ...

STF28NM50N, MOSFET N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1017 шт., срок 8-10 недель

5 500 ֏

от 25 шт. — 3 940 ֏

от 100 шт. — 3 410 ֏

от 1000 шт. — 3 170 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 500 ֏

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8004583819

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 550В, 13А, Idm: 84А, 35Вт Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки:	21 A
Pd - рассеивание мощности:	35 W
Qg - заряд затвора:	50 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:	158 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	2 V
Вид монтажа:	Through Hole
Время нарастания:	19 ns
Время спада:	52 ns
Канальный режим:	Enhancement
Категория продукта:	МОП-транзистор
Количество каналов:	1 Channel
Коммерческое обозначение:	MDmesh
Конфигурация:	Single
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Подкатегория:	MOSFETs
Полярность транзистора:	N-Channel
Производитель:	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки:	1000
Серия:	STF28NM50N
Технология:	Si
Тип продукта:	MOSFET
Тип транзистора:	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения:	62 ns
Типичное время задержки при включении:	13.6 ns
Торговая марка:	STMicroelectronics
Упаковка / блок:	TO-220-3
Упаковка:	Tube
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	21 A
Maximum Drain Source Resistance	158 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	35 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220FP
Pin Count	3
Series	MDmesh
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	50 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Brand	STMicroelectronics
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	52 ns
Id - Continuous Drain Current	21 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	35 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	50 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	158 mOhms
Rise Time	19 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	62 ns
Typical Turn-On Delay Time	13.6 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Vgs - Gate-Source Voltage	25 V
Вес, г	0.33