Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Texas Instruments › CSD17527Q5A, MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET

CSD17527Q5A, MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 400 ֏

от 10 шт. — 1 100 ֏

от 100 шт. — 800 ֏

от 500 шт. — 630 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 400 ֏

Номенклатурный номер: 8004605648

Бренд: Texas Instruments

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFET
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.

Технические параметры

Brand:	Texas Instruments
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	3.2 ns
Forward Transconductance - Min:	44 S
Id - Continuous Drain Current:	100 A
Manufacturer:	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	VSONP-8
Pd - Power Dissipation:	3 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	2.8 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	10.8 mOhms
Rise Time:	8.2 ns
Series:	CSD17527Q5A
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	NexFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	9.8 ns
Typical Turn-On Delay Time:	5.6 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.1 V
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current - (A)	13
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	10.8@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	30
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??20
Maximum Power Dissipation - (mW)	3000
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	8
Process Technology	NexFET
Standard Package Name	SON
Supplier Package	VSONP EP
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	2.8@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	422@15V
Вес, кг	2.26