Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › 2N7002BKVL, MOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB

2N7002BKVL, MOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

211563 шт., срок 8-10 недель

334 ֏

от 10 шт. — 186 ֏

от 100 шт. — 91 ֏

от 1000 шт. — 55 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 334 ֏

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8004639512

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 2N7002BK/TO-236AB/REEL 11" Q3/

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	350 mA
Pd - рассеивание мощности	440 mW
Qg - заряд затвора	0.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	6 ns
Время спада	7 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	10000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel Trench MOSFET
Типичное время задержки выключения	12 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	1Ом
Power Dissipation	370мВт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	350мА
Пороговое Напряжение Vgs	1.6В
Рассеиваемая Мощность	370мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	1Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	TO-236AB
Вес, г	0.008