CSD18541F5, MOSFET 60-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 1.5 mm x 0.8mm, 65 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
![CSD18541F5, MOSFET 60-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 1.5 mm x 0.8mm, 65 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150](https://static.chipdip.ru/lib/040/DOC025040351.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 ֏
от 10 шт. —
385 ֏
от 100 шт. —
206 ֏
от 1000 шт. —
131 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
FemtoFET Power MOSFETTexas Instruments FemtoFET Power MOSFET имеют сверхмалые габариты (размер корпуса 0402) и сверхнизкое сопротивление (на 70 % меньше, чем у конкурентов). Эти полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкие характеристики Qg, Qgd и оптимизированный рейтинг электростатического разряда. Они доступны в пакете массива наземной сети (LGA). Этот пакет максимально увеличивает содержание кремния, что делает их идеальными для приложений с ограниченным пространством. Эти мощные полевые МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание мощности и низкие потери при переключении для улучшения характеристик при малой нагрузке. Типичными приложениями для этих устройств являются портативные, мобильные устройства, устройства переключения нагрузки, устройства общего назначения и аккумуляторы.
Технические параметры
Brand: | Texas Instruments |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 6000 |
Fall Time: | 496 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 2.2 A |
Manufacturer: | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | PICOSTAR-3 |
Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 11 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 65 mOhms |
Rise Time: | 540 ns |
Series: | CSD18541F5 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | PicoStar |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 1076 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 572 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.75 V |
Вес, г | 0.01 |
Похожие товары