BSS138PS,115, MOSFET BSS138PS/SOT363/SC-88
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
95875 шт., срок 8-10 недель
530 ֏
от 10 шт. —
337 ֏
от 100 шт. —
145 ֏
от 1000 шт. —
86 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 530 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8004727454
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 60В, 200мА, Idm: 1,2А, 420мВт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 320 mA |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | TSSOP-6 |
| Part # Aliases: | 934064989115 |
| Pd - Power Dissipation: | 320 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 720 pC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 320мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Рассеиваемая Мощность | 420мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.9Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 320 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 320 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-363 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.72 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.35mm |
| Вес, г | 32 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![2SK170-BL, Транзистор, N-канал [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299940.jpg)
![AO4407AL, Транзистор P-MOSFET 30В 12A [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![2SK3265, Транзистор, TT-MOSV, N-канал, 700В, 5А [SC-67 / 2-10R1B]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299884.jpg)
![2SK3562, Транзистор, N-канал [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/242/DOC000242348.jpg)
