ARF460BG, RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
66 400 ֏
от 100 шт. —
47 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 66 400 ֏
Описание
Полупроводниковые приборы\Модули беспроводной связи и РЧ полупроводники\Транзисторы РЧ\РЧ МОП-транзисторы
РЧ МОП-транзисторы FG, MOSFET, 500V, TO-247, RoHS
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 6 ns |
| Время спада | 4 ns |
| Выходная мощность | 150 W |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.3 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая частота | 65 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | Microchip / Microsemi |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Усиление | 13 dB |
| Вес, г | 38 |
