ALD212914SAL, MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
32 шт., срок 8-10 недель
9 300 ֏
от 10 шт. —
7 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 300 ֏
Номенклатурный номер: 8004980700
Бренд: Advanced Linear Devices
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Advanced Linear Devices |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Id - Continuous Drain Current: | 79 mA |
| Manufacturer: | Advanced Linear Devices |
| Maximum Operating Temperature: | +70 C |
| Minimum Operating Temperature: | 0 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 Ohms |
| Series: | ALD212914S |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | EPAD |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Вес, г | 0.07 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 511 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 5 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 9 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
