CSD13302W, MOSFET 12-V, N channel NexFET power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 ֏
от 10 шт. —
421 ֏
от 100 шт. —
234 ֏
от 1000 шт. —
146 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 560 ֏
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор CSD13302W 12 V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор 4-DSBGA
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17.1 mOhms |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.62 mm |
Длина | 1 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | NexFET |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | CSD13302W |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | DSBGA-4 |
Ширина | 1 mm |
Base Product Number | CSD13302 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.6A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 862pF @ 6V |
Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | 4-UFBGA, DSBGA |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.1mOhm @ 1A, 4.5V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | NexFETв„ў -> |
Supplier Device Package | 4-DSBGA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250ВµA |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet CSD13302W
pdf, 517 КБ