CSD13302W, MOSFET 12-V, N channel NexFET power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA

CSD13302W, MOSFET 12-V, N channel NexFET power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
560 ֏
от 10 шт.421 ֏
от 100 шт.234 ֏
от 1000 шт.146 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 560 ֏
Номенклатурный номер: 8004997153
Бренд: Texas Instruments

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор CSD13302W 12 V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор 4-DSBGA

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 1.6 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 17.1 mOhms
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.62 mm
Длина 1 mm
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение NexFET
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия CSD13302W
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Texas Instruments
Упаковка / блок DSBGA-4
Ширина 1 mm
Base Product Number CSD13302 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 1.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 4.5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 862pF @ 6V
Manufacturer Product Page http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case 4-UFBGA, DSBGA
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series NexFETв„ў ->
Supplier Device Package 4-DSBGA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250ВµA
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet CSD13302W
pdf, 517 КБ