Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Texas Instruments › CSD18511KCS, MOSFET 40-V, N channel NexFET™ ...

CSD18511KCS, MOSFET 40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 2.6 mOhm 3-TO-220 -55 to 175

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 100 ֏

от 10 шт. — 1 580 ֏

от 100 шт. — 1 180 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 100 ֏

Номенклатурный номер: 8004997237

Бренд: Texas Instruments

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 40V, N ch NexFET МОП-транзисторG , single TO-220, 2.6mOhm 3-TO-220 -55 to 175

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	194 A
Pd - рассеивание мощности	188 W
Qg - заряд затвора	64 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	6 ns
Время спада	3 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	249 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	CSD18511KCS
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	17 ns
Типичное время задержки при включении	8 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Continuous Drain Current (Id)	194A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	2.6mΩ@100A, 10V
Drain Source Voltage (Vdss)	40V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	2.4V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	5.94nF@20V
Operating Temperature	-55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	188W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	64nC@10V
Type	null
Вес, г	2.39