TN5325N8-G, MOSFET 250V 7Ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
880 ֏
от 10 шт. —
790 ֏
от 25 шт. —
670 ֏
от 100 шт. —
620 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 880 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Brand: | Microchip Technology |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
Fall Time: | 15 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 316 mA |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-89-3 |
Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 Ohms |
Rise Time: | 15 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | FET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
Вес, г | 0.0528 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 543 КБ
Похожие товары