Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Microchip › TP2104K1-G, MOSFET 40V 6Ohm

TP2104K1-G, MOSFET 40V 6Ohm

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 040 ֏

от 25 шт. — 870 ֏

от 100 шт. — 700 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 040 ֏

Номенклатурный номер: 8005187631

Бренд: Microchip Technology

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 40V 6Ohm

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	160 mA
Pd - рассеивание мощности	360 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4 ns
Время спада	5 ns
Высота	0.95 mm
Длина	2.9 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	150 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип	FET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	5 ns
Типичное время задержки при включении	4 ns
Торговая марка	Microchip Technology
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.3 mm
Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	6Ом
Power Dissipation	360мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	40В
Непрерывный Ток Стока	160мА
Пороговое Напряжение Vgs	2В
Рассеиваемая Мощность	360мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	6Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-236AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Mounting Type	Through Hole
Package Type	SOT-23
Вес, г	0.008