VN0606L-G-P003, MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 060 ֏
от 25 шт. —
1 580 ֏
от 100 шт. —
1 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 060 ֏
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 330 mA |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Microchip Technology |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Вес, г | 0.4536 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 364 КБ
Похожие товары