VN0606L-G-P003, MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

VN0606L-G-P003, MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 060 ֏
от 25 шт.1 580 ֏
от 100 шт.1 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 060 ֏
Номенклатурный номер: 8005187655

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 330 mA
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Вид монтажа Through Hole
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Microchip Technology
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок TO-92-3
Вес, г 0.4536

Техническая документация

Datasheet
pdf, 364 КБ