Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Microchip › VN2222LL-G, MOSFET 60V 7.5Ohm

VN2222LL-G, MOSFET 60V 7.5Ohm

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

700 ֏

от 25 шт. — 570 ֏

от 100 шт. — 486 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 700 ֏

Номенклатурный номер: 8005187668

Бренд: Microchip Technology

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 60V 7.5Ohm

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	230 mA
Pd - рассеивание мощности	1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	7.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	600 mV
Вид монтажа	Through Hole
Высота	5.33 mm
Длина	5.21 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	100 mmho
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип	FET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Microchip Technology
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-92-3
Ширина	4.19 mm
Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	0.85V
Maximum Continuous Drain Current	230 mA
Maximum Drain Source Resistance	7.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-92
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Width	4.06mm
Вес, г	0.312