Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Texas Instruments › CSD17483F4, MOSFET 30V N-CH Pwr MOSFET

CSD17483F4, MOSFET 30V N-CH Pwr MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

482 ֏

от 10 шт. — 337 ֏

от 100 шт. — 140 ֏

от 1000 шт. — 94 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 482 ֏

Номенклатурный номер: 8005467030

Бренд: Texas Instruments

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 30V N-CH Pwr МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	1.5 A
Pd - рассеивание мощности	500 mW
Qg - заряд затвора	1.01 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	240 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	650 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	1.3 ns
Время спада	3.4 ns
Высота	0.35 mm
Длина	1 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	FemtoFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	2.4 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	CSD17483F4
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	10.6 ns
Типичное время задержки при включении	3.3 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка / блок	PICOSTAR-3
Ширина	0.64 mm
Brand	Texas Instruments
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	3.4 ns
Forward Transconductance - Min	2.4 S
Id - Continuous Drain Current	5 A
Manufacturer	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	QFN-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	500 mW
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	1.01 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	260 mOhms
Rise Time	1.3 ns
RoHS	Details
Series	CSD17483F4
Technology	Si
Tradename	FemtoFET
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	10.6 ns
Typical Turn-On Delay Time	3.3 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage	12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	850 mV
Вес, кг	7.82