Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Texas Instruments › CSD18510Q5B, MOSFET 40-V, N channel NexFET™ ...

CSD18510Q5B, MOSFET 40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 0.96 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 540 ֏

от 10 шт. — 2 060 ֏

от 100 шт. — 1 570 ֏

от 250 шт. — 1 440 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 540 ֏

Номенклатурный номер: 8005467037

Бренд: Texas Instruments

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFET
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.

Технические параметры

Brand:	Texas Instruments
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	15 ns
Forward Transconductance - Min:	147 S
Id - Continuous Drain Current:	200 A
Manufacturer:	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	VSON-CLIP-8
Pd - Power Dissipation:	156 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	153 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.2 mOhms
Rise Time:	17 ns
Series:	CSD18510Q5B
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	NexFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	44 ns
Typical Turn-On Delay Time:	8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.2 V
Brand	Texas Instruments
Channel Mode	Enhancement
Configuration	1 N-Channel
Factory Pack Quantity	2500
Fall Time	15 ns
Forward Transconductance - Min	147 S
Id - Continuous Drain Current	200 A
Manufacturer	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	SON-8
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	156 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	153 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	1.6 mOhm
Rise Time	17 ns
RoHS	Details
Series	CSD18510Q5B
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	44 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Vgs - Gate-Source Voltage	+/-20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V
Вес, кг	8