2N6660
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 300 ֏
от 25 шт. —
15 600 ֏
от 100 шт. —
14 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 19 300 ֏
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 60 В 410 мА (Ta) 6,25 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-39
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 410mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 24V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| PCN Assembly/Origin | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| PCN Design/Specification | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| PCN Packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | RoHS non-compliant |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Id - непрерывный ток утечки | 410 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 6.25 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 170 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Технология | Si |
| Тип | FET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-39-3 |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 3Ом |
| Power Dissipation | 6.25Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 410мА |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 6.25Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 3Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-39 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 452 КБ
Datasheet 2N6660
pdf, 457 КБ
