Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Littelfuse › IXTP6N50D2

IXTP6N50D2

7 шт. с центрального склада, срок 3 недели

12 300 ֏

от 2 шт. — 11 500 ֏

от 5 шт. — 10 900 ֏

от 7 шт. — 10 600 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 300 ֏

Номенклатурный номер: 8006837573

Бренд: Littelfuse

Описание

Электроэлемент

MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-220AB; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:6A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:0V; Gate Source Threshol 03AH1704

Технические параметры

Brand	IXYS
Factory Pack Quantity	50
Fall Time	43 ns
Forward Transconductance - Min	2.8 S
Id - Continuous Drain Current	6 A
Manufacturer	IXYS
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	300 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	96 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	550 mOhms
Rise Time	72 ns
RoHS	Details
Series	IXTP6N50
Transistor Polarity	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	82 ns
Unit Weight	0.08113 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	20 V
Вес, г	0.91