VN2210N3-G, MOSFET 100V 0.35Ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 080 ֏
от 25 шт. —
2 380 ֏
от 100 шт. —
2 020 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 080 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.2 A |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
| Rise Time: | 10 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | FET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet VN2210N2
pdf, 1047 КБ
Похожие товары
![2SK2225-E, Транзистор, N-канал [TO-3PFM]](https://static.chipdip.ru/lib/547/DOC005547835.jpg)
![2SK2608, Транзистор N-канал 900В 3А 100Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![AUIRF2804S-7P, Транзистор, Auto Q101 Nкан 40В 320А [D2-PAK-7]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294540.jpg)
![FCA20N60F, Транзистор, N-канал 600В 20А [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/826/DOC000826540.jpg)
