IRFR014PBF, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 150 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 150 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 4,9А, 25Вт, DPAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.10.00.80 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.7 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 200@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11(Max)@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11(Max) |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 5.8(Max) |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 3.1(Max) |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 200 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 300@25V |
| Typical Output Capacitance (pF) | 160 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Fall Time (ns) | 19 |
| Typical Rise Time (ns) | 50 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | DPAK |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 2.39(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Package Width | 6.22(Max) |
| PCB changed | 2 |
| Tab | Tab |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.7 A |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 2.38 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | IRFR/U |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 7.7A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 25W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 4.6A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 884 КБ
Документация
pdf, 882 КБ
