IRF840LCPBF, Транзистор полевой N-канальный 500В 8A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
425 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 15 шт. —
374 ֏
от 30 шт. —
357 ֏
от 50 шт. —
340 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 125 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 500В 8A
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
| Максимальный непрерывный ток стока | 8 A | |
| Тип корпуса | TO-220AB | |
| Максимальное рассеяние мощности | 125 W | |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия | |
| Ширина | 4.7 | |
| Высота | 9.01мм | |
| Размеры | 10.41 x 4.7 x 9.01мм | |
| Материал транзистора | Кремний | |
| Количество элементов на ИС | 1 | |
| Длина | 10.41мм | |
| Transistor Configuration | Одинарный | |
| Типичное время задержки включения | 12 нс | |
| Производитель | Vishay | |
| Типичное время задержки выключения | 27 нс | |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 850 mΩ | |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 V | |
| Число контактов | 3 | |
| Категория | Мощный МОП-транзистор | |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 39 нКл при 10 В | |
| Номер канала | Поднятие | |
| Типичная входная емкость при Vds | 1100 pF @ 25 V | |
| Тип канала | N | |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Размер фабричной упаковки | 50 | |
| Серия | IRF | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
| Упаковка | Tube | |
| Base Product Number | IRF840 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8A (Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf | |
| Package | Tube | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4.8A, 10V | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±30V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| FET Feature | - | |
| Manufacturer | Vishay Siliconix | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Active | |
| Series | - | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 850 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 125 W | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| Width | 4.7mm | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 268 КБ
Datasheet IRF840LCPBF
pdf, 271 КБ
IRF840LC
pdf, 274 КБ
Документация
pdf, 270 КБ
